CXMT의 DDR5와 국내 D램 공정 비교

32G 용량의 DDR5 D램

 

CXMT(창신메모리테크놀로지)의 32GB DDR5 D램 모듈은 최신 16나노미터(nm) 공정(G4)을 기반으로 제작된 고성능 메모리 제품입니다. 이 모듈은 16Gb DDR5 D램 칩 16개를 사용하여 32GB의 용량을 구현하며, DDR5의 높은 대역폭과 전력 효율성을 제공합니다.

 

1. 특징 및 사양

 

1) 제조 공정

 

- 16nm G4 공정 적용

 

- 삼성전자, SK하이닉스의 10nm 3세대(1z)와 유사한 수준

 

2) 성능

 

- DDR5의 특성상 DDR4 대비 약 2배 빠른 속도

 

- 향상된 전력 효율성으로 저전력 동작

 

- 인공지능(AI), 빅데이터, 클라우드 컴퓨팅 등에 적합

 

3) 수율

 

- 약 80%의 양산 수율 달성

 

4) 시장 출시

 

- 중국 내 전자상거래 플랫폼에서 판매

 

- 글로벌 시장 진출 가능성 검토 중

 

2. 삼성전자, SK하이닉스의 10nm 3세대(1z)와의 비교

 

10nm 3세대(1z) 공정은 삼성전자와 SK하이닉스가 개발한 D램 제조 공정의 한 단계로, 10나노급(10~19nm) D램 기술의 세 번째 발전 단계입니다.

 

1) 10nm급 D램 공정 세대 구분:

 

- 1x (1세대): 약 19~17nm

 

- 1y (2세대): 약 16~14nm

 

- 1z (3세대): 약 12~14nm

 

- 1α (4세대): 약 12nm 이하

 

- 1β (5세대): 약 10nm 이하

 

CXMT가 현재 16nm 공정을 사용하고 있으며, 한국 메모리 업체들의 1z(12~14nm) 공정과 비교하면 약 3년의 기술 격차가 존재한다고 평가됩니다. 전 세대 D램인 DDR4 관련 공정 기술 격차는 5년 이상이었습니다.

 

3. 中 D램 ‘비트 밀도’ 높아

 

1) 성능의 핵심 척도인 비트밀도(단위 면적당 저장 단위)는 0.239Gb/㎟로, 동일 규격의 삼성전자 제품(0.217Gb/㎟)과 SK하이닉스 제품(0.213Gb/㎟)보다 높다.

 

2) 테크인사이츠 "CXMT는 16㎚ 공정을 통해 정보를 저장하는 셀 면적을 18㎚ 공정 대비 20% 줄였다”

 

4. DDR5 저가 공세 우려

 

CXMT는 지난해 하반기부터 DDR4를 30% 싸게 시장에 풀었습니다. 이로 인해 지난해 7월 PC용 DDR4 D램 고정거래 가격이 개당 2.1달러에서 12월에 개당 1.35달러로 35.7% 급락했습니다. 

 

지난해 글로벌 D램 시장에서 DDR5 출하량(비트 단위 환산)은 87엑사비트(Eb)로 DDR4 출하량인 62 엑사비트(Eb)를 추월했습니다.

 

이에 김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO·부사장)은 "중국 기업의 DDR5 제품 품질과 성능은 (SK하이닉스 제품과) 확실한 차이가 있을 것” 이라며, 기술 격차를 감안하면 CXMT의 DDR5 시장 진출에 충분히 대응할 수 있다고 했습니다.