글로벌 3위 메모리반도체 기업 미국 마이크론이 업종과 경력을 가리지 않고 한국인 엔지니어 모시기에 나서고 있습니다.마이크론은 최근 몇 주 동안 경기도 판교 일대 호텔 등에서 삼성전자, SK하이닉스를 포함한 국내 반도체 엔지니어들의 경력 면접을 잇달아 진행하고 있습니다.
마이크론이 업종과 경력을 가리지 않고 한국인 엔지니어를 적극적으로 모집하고 있다는 소식은 매우 흥미로운 동향을 나타냅니다. 이는 마이크론이 글로벌 경쟁에서 우위를 점하기 위해 한국 인재의 역량을 높이 평가하고 있다는 것을 의미합니다.
1) 한국의 반도체 기술력
한국은 삼성전자와 SK hynix와 같은 세계적인 반도체 제조업체를 보유하고 있으며, 이들 기업은 DRAM, NAND 플래시 메모리, 시스템 반도체 등 다양한 분야에서 기술적으로 선도적인 위치에 있습니다. 따라서 한국은 반도체 산업에 대한 깊은 이해와 기술력을 갖춘 인재가 많이 존재하는 국가입니다. 마이크론이 한국 인재를 찾는 이유는, 뛰어난 기술력과 경험을 가진 엔지니어들이 많기 때문입니다.
2) 한국 인재의 글로벌 경쟁력
한국은 과학, 기술, 공학, 수학(STEM) 분야에서 높은 수준의 교육과 연구 개발 환경을 제공하고 있습니다. 특히 반도체 관련 전공은 세계적으로 인정받는 수준에 있으며, 한국의 대학들과 연구 기관들은 최신 기술과 혁신을 선도하고 있습니다. 마이크론은 이러한 한국 인재들이 글로벌 시장에서 경쟁력 있는 제품과 기술을 개발하는 데 중요한 역할을 할 수 있다는 점을 인식하고 있는 것으로 보입니다.
3) 기술 혁신과 글로벌 경쟁
마이크론은 DRAM 및 NAND 플래시 메모리 시장에서 경쟁이 치열한 상황에서 기술 혁신을 지속해야 합니다. 삼성전자와 SK hynix 같은 한국 기업들은 이미 고급 메모리 기술을 개발하고 있으며, 마이크론은 이들과 경쟁하기 위해 글로벌 수준에서 기술적인 우위를 점할 수 있는 인재를 확보할 필요가 있습니다. 특히 고대역폭 메모리(HBM), 인공지능(AI), 데이터 분석 등 첨단 기술 분야에서의 경쟁력을 높이기 위해 다양한 경험을 가진 인재가 필요합니다.
4) 다양성의 가치
마이크론은 업종과 경력을 가리지 않고 한국인 엔지니어를 모시겠다는 전략을 통해 조직 내 다양성을 증진시키려는 의도도 있을 수 있습니다. 다양한 배경과 경험을 가진 인재들이 모일수록 더 혁신적이고 창의적인 해결책을 도출할 수 있기 때문에, 마이크론은 전 세계에서 뛰어난 인재들을 끌어들이고자 하는 것입니다.
5) 한국의 반도체 인재 확보 경쟁
마이크론뿐만 아니라 글로벌 반도체 기업들이 한국 인재를 채용하려는 경쟁이 치열해지고 있습니다. 한국은 반도체 산업의 중심지로, 뛰어난 인재들이 많기 때문에, 이를 놓고 삼성전자, SK hynix, 인텔, AMD 등 다양한 기업들이 경쟁하고 있습니다. 마이크론은 이 경쟁에서 우위를 점하기 위해 한국 내에서의 인재 확보에 적극적으로 나서고 있다는 점에서 중요한 전략적 접근입니다.
2. 한국 기업들의 HBM 기술
고대역폭 메모리 (HBM, High Bandwidth Memory)는 주로 삼성전자와 SK hynix가 주도하는 기술로, 세계적으로 중요한 고성능 메모리 기술 중 하나입니다. HBM은 대량의 데이터를 매우 빠르게 처리해야 하는 고급 컴퓨팅 시스템과 기기에서 중요한 역할을 합니다. 특히, 인공지능(AI), 머신 러닝, 데이터 분석, 자율주행차, 고성능 그래픽 카드, 데이터 센터 등에서 그 필요성이 급증하고 있습니다.
1) 삼성전자
- HBM 기술 개발에서 선두주자로 알려져 있습니다. 삼성은 HBM2와 HBM2E 메모리 기술을 상용화했으며, 최근 4세대 고대역폭 메모리(HBM3)가 엔비디아의 품질 테스트를 통과했다고 발표했습니다. 하지만 5세대 HBM3E는 여전히 기준을 충족하기 위한 테스트가 진행 중이라고 합니다.
2) SK hynix
- 초고성능 AI용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작했습니다. - HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있으며, 기존 12단 HBM3E의 용량은 3GB D랩 단품 칩 12개를 적층한 36GB였으나, 내년 상반기 중 공급할 HBM3E 16단 제품은 48GB 용량입니다. 내년 하반기 중 HBM4 12단 제품도 출시할 예정입니다. -현재 SK hynix의 HBM 시장 점유율은 53% 이상으로, 삼성전자와 미국 마이크론을 크게 앞선 상태입니다.
3. HBM의 기술적 특징
1) 3D 스택 구조 : HBM은 전통적인 메모리 기술인 DDR4/DDR5와 다르게, 여러 개의 메모리 칩을 수직으로 쌓아 놓은 구조를 가지고 있습니다. 이를 통해 더 높은 대역폭을 제공하고, 소형화가 가능하면서도 성능을 극대화할 수 있습니다.
2) 높은 대역폭 : HBM은 DDR4나 DDR5보다 훨씬 더 높은 데이터 전송 속도를 자랑합니다. HBM2는 307GB/s, HBM3는 819GB/s, HBM3E는 1.2TB/s의 대역폭을 제공할 수 있습니다.
3) 저전력 소비 : HBM은 데이터를 처리하는 속도가 빠르면서도 전력 소비가 낮은 특성을 가지고 있습니다. 이는 고성능 컴퓨팅 환경에서 매우 중요한 장점입니다.
4. HBM의 주요 용도
1) 고성능 컴퓨팅 (HPC) : 슈퍼컴퓨터나 데이터 센터에서는 대규모 데이터 처리와 빠른 계산을 요구합니다. HBM은 이러한 환경에서 필수적인 기술로, 데이터 전송 속도와 처리 속도를 대폭 향상시킬 수 있습니다.
2) 인공지능(AI) 및 머신러닝 : AI와 머신러닝 작업에서는 대량의 데이터를 빠르게 처리해야 하므로, HBM의 빠른 데이터 전송 속도가 중요한 역할을 합니다.
3) 고급 그래픽 처리 : 게임, 가상 현실(VR), 증강 현실(AR) 등의 분야에서 고해상도 그래픽을 처리하는 데 필요한 빠른 메모리 기술로 HBM이 사용됩니다.
4) 자율주행차 : 자율주행차 시스템에서 실시간 데이터 처리가 매우 중요하며, HBM은 이러한 환경에서 빠르고 효율적인 데이터 전송을 가능하게 합니다.
5. HBM3E 16단
HBM3E는 HBM3의 확장 버전으로, 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 데이터 센터 등에서 요구되는 대역폭과 용량을 더욱 향상시키기 위해 설계된 차세대 고대역폭 메모리입니다. 16단 구성은 메모리 다이를 수직으로 16층까지 쌓은 구조를 의미합니다.
16단 구성은 여러 개의 메모리 다이를 쌓는 구조이기 때문에, 열 관리와 전력 소비 등의 문제를 해결해야 합니다. 각 다이가 밀접하게 연결되어 있기 때문에, 높은 성능을 유지하면서도 효율적으로 열을 분산시키는 기술이 필요합니다.
또한, 수직 연결을 위한 TSV(Through Silicon Via) 기술이 중요한데, 16단 구성을 구현하려면 TSV의 성능과 신뢰성을 극대화하는 기술이 필수적입니다. TSV 기술은 반도체 제조 공정의 한 종류로, 실리콘 웨이퍼를 관통하는 수직 전기 연결을 생성하는 방법입니다.
